[20a-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20a-C200-4] Design and fabrication of InGaN/GaN superlattice structures on ScAlMgO₄ substrates.

〇Taro Sakaguchi¹, Takato Fukui¹, Yoshinobu Matsuda¹, Makoto Matsukura², Takahiro Kojima², Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ., 2.OXIDE)

Keywords:ScAlMgO4, InGaN, superlattice

In組成約16%のInGaNと格子整合するScAlMgO₄ (SAM)は，InGaN系LEDの新規基板として注目されている．現状のInGaN/SAMテンプレートの表面粗さはRMSで10 nm程度で，量子井戸発光層の下地としては平坦性が不十分である．本研究では，InGaN/SAMテンプレートの表面平坦性の向上を目的として，SAM基板上InGaN/GaN超格子構造をテンプレートとして設計し作製した．