[20a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-C200-4] ScAlMgO₄基板上InGaN/GaN超格子構造の設計と作製

〇坂口 太郎¹、福井 崇人¹、松田 祥伸¹、松倉 誠²、小島 孝広²、船戸 充¹、川上 養一¹ (1.京大院工、2.OXIDE)

キーワード：ScAlMgO4、InGaN、超格子構造

In組成約16%のInGaNと格子整合するScAlMgO₄ (SAM)は，InGaN系LEDの新規基板として注目されている．現状のInGaN/SAMテンプレートの表面粗さはRMSで10 nm程度で，量子井戸発光層の下地としては平坦性が不十分である．本研究では，InGaN/SAMテンプレートの表面平坦性の向上を目的として，SAM基板上InGaN/GaN超格子構造をテンプレートとして設計し作製した．