[20a-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20a-C200-6] Effect of surface nitridation on growth of GaN on ScAlMgO₄ substrate by RF-MBE

〇Yuya Kuroda¹, Yuichi Wada¹, Naoki Goto¹, Takashi Fujii¹, Shinichiro Mouri¹, Momoko Deura², Tsutomu Araki¹ (1.Ritsumeikan Univ., 2.R-GIRO)

Keywords:GaN, ScAlMgO4, RF-MBE

ScAlMgO₄（SAM）基板はGaNとの格子定数差、熱膨張係数差がそれぞれ1.8%、9.8%と従来基板に比べて小さく、低転位の高品質GaN結晶成長用基板として期待される。SAMのステップ高さは0.84 nm程度とGaNの分子層高さ0.26 nmより非常に大きく、成長初期過程に影響をもたらすと考えられる。今回は、SAM基板表面の窒化処理の有無や窒化条件による、GaN成長への影響を調べた。