[20a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-C200-6] ScAlMgO₄基板上へのGaNのRF-MBE成長における基板表面窒化の効果

〇黒田 悠弥¹、和田 邑一¹、後藤 直樹¹、藤井 高志¹、毛利 真一郎¹、出浦 桃子²、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO)

キーワード：窒化ガリウム、ScAlMgO­4、RF-MBE

ScAlMgO₄（SAM）基板はGaNとの格子定数差、熱膨張係数差がそれぞれ1.8%、9.8%と従来基板に比べて小さく、低転位の高品質GaN結晶成長用基板として期待される。SAMのステップ高さは0.84 nm程度とGaNの分子層高さ0.26 nmより非常に大きく、成長初期過程に影響をもたらすと考えられる。今回は、SAM基板表面の窒化処理の有無や窒化条件による、GaN成長への影響を調べた。