[20a-C200-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [20a-C200-9] Current-confinement blue LEDs formed by mist particle supply oxidation

〇Ruka Watanabe¹, Hiroki Matumoto¹, Tsuyoshi Nagasawa¹, Kenta Kobayashi¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ.)

Keywords:micro LED, current-confinement, mist particle supply oxidation

GaN系面発光レーザーでは、GaAs系のような横方向酸化による電流狭窄構造は実現していない。我々はミスト供給法を用いたAlInNの表面酸化により良好な絶縁性が得られることを報告した。この表面酸化層の電流狭窄構造への適用が考えられる。今回、青色LEDウエハの表面をミスト供給法で選択酸化することで、GaN系面発光レーザーに向けた電流狭窄構造を形成した。従来のマイクロLEDと同等のIVL特性を確保し、電流狭窄構造を形成することができた。