[20a-C202-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[20a-C202-11] Ingot-scale and crystal-orientation-based analysis on growth dynamics of multicrystalline silicon

〇(P)Takuto Kojima¹, Kyoka Hara², Kentaro Kutsukake³, Tetsuya Matsumoto¹, Hiroaki Kudo¹, Noritaka Usami² (1.Grad. Info. Nagoya Univ., 2.Grad. Eng. Nagoya Univ., 3.AIP RIKEN)

Keywords:multicrystalline silicon, crystal orientation, grain boundary

多結晶シリコンの成長挙動をインゴットスケールで解析するため，光学像から結晶方位分布の推定を行なう機械学習モデルを用いて同一インゴットの156 mm角の太陽電池用基板から大規模データを取得する．