[20a-C202-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [20a-C202-3] 歪み印加半導体薄膜のヘテロ成長におけるクラック発生とその抑制メカニズム

〇我妻 勇哉¹、金澤 伶奈¹、Md. Mahfuz Alam^1,2、岡田 和也¹、井上 貴裕¹、山田 道洋³、浜屋 宏平^3,4、澤野 憲太郎¹ (1.東京都市大学、2.Univ. of Barishal、3.阪大基礎工 CSRN、4.阪大OTRI)

キーワード：SiGe、クラック