[20a-C306-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-C306-5] 3C-SiCと4H-SiCの同時横方向エピタキシャル成長

〇長澤 弘幸¹、櫻庭 政夫²、佐藤 茂雄² (1.CUSIC、2.東北大通研)

キーワード：炭化珪素、ヘテロエピタキシャル成長、整合界面

SiC製MOSFETのチャネル抵抗低減、ならびにゲート酸化膜の信頼性向上を目的として、4H-SiCと3C-SiCの同時横方向成長を試みた。双晶フリーな3C-SiC(111)層を4H-SiC(0001)上に得るため、①あらかじめ4H-SiC(0001)最表面を特定の立方最密充填構造に統一し、②所定の箇所にて3C-SiCの2次元核生成を促進し、③3C-SiCと4H-SiCの同時横方向エピタキシャル成長 (SLE: Simultaneous Lateral Epitaxy)を実施した。
SLEにより得られたSiCエピタキシャル成長層をSEMとEBSDで観察したところ、3C-SiC(111)表面と4H-SiC(0001)表面が基底面に平行な整合界面によって明確に区分され、かつ3C-SiC層には双晶が含まれていないことが判明した。