[20a-C306-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20a-C306-6] 高温ガス成長法により作製したSiCインゴットの結晶欠陥密度低減

〇堀合 慧祥¹、上東 秀幸¹、神田 貴裕¹、金村 高司¹、星乃 紀博²、鎌田 功穂²、別役 潔²、土田 秀一² (1.ミライズテクノロジーズ、2.電力中央研究所)

キーワード：高温ガス成長法、基底面転位、SiCインゴット

SiCパワーデバイスの普及に向け、SiCウエハの高品質化・低コスト化が必要である。これに対し我々は、高温で高純度ガスの供給量を増加することで高速成長が可能である高温ガス成長（HTCVD）法によるSiCインゴット作製技術の開発を進めている。本研究ではHTCVD法により作製したSiCウエハの基底面転位（BPD）密度に影響する要因を調査し、低BPD密度SiCウエハ作製を行った結果を報告する。