[20a-C306-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20a-C306-7] Current Status and Issues of SiC Solution Growth Method for Large Diameter SiC

〇Toru Ujihara^1,2,3,4, Koki Suzuki^1,4, Tomoaki Furusho^1,4, Kentaro Kutsukake^1,3, Yifan Dang², Xinbo Liu¹, Can Zhu¹, Hiquin Zhou², Yuma Fukami², Masato Ohta², Shota Seki², Daiki Shimoda², Yuki Nakanishi², Souichi Shima¹, Hinako Funo^1,4, Hiroshi Uematsu⁴, Shunta Harada^1,2, Miho Tagawa^1,2 (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.Nagoya Univ. Eng., 3.RIKEN AIP, 4.UJ-Crystal)

Keywords:SiC, bulk growth

我々のグループでは、長年SiC溶液成長の技術開発を行ってきた。開発においては、大きく３つの技術革新があった。第一にマクロステップを活用した転位密度低減化技術、第二に結晶表面近傍の溶媒の流れ方向の制御によるマクロステップの構造制御技術、そして第三が機械学習による結晶成長パラメータの最適化手法の開発である。現在では、これらの技術を活用した高品質SiC結晶の商用化のための大学発ベンチャーを創業し、さらには複数企業、複数機関とコンソーシアムを組み、8インチ化の開発、さらには実用化技術の開発を進めている。