[20a-P01-1~5] 1.3 新技術・複合新領域

[20a-P01-5] ポジ型電子線レジストSML1000をマスクとして用いたSF₆-RIEによるGeのドライエッチング

〇松谷 晃宏¹、遠西 美重¹、藤本 美穂¹、松下 祥子² (1.東工大OFC、2.東工大物質理工学院)

キーワード：ゲルマニウム、エッチング、プラズマ

近年のエネルギー変換デバイスや光学デバイスの発展に伴い，Geの高精度の微細加工技術の実現が期待されている。これまでのGeのドライエッチングに関する報告で用いられているエッチングマスクはフォトレジストやSiO₂であり，電子線レジストをマスク材料として用いられた例はほとんどない。今回は，ポジ型電子線レジストSML（EM Resist, UK）をエッチングマスクとして用いたGeのドライエッチングについて検討したので報告する。