[20a-P07-1~3] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[20a-P07-1] Formation and Control of Nanotrenches along Atomic Step Edges on Si(111) Surfaces by Wet-chemical Preparations

〇Tetsuro Takeuchi¹, Zhida Ma¹, Ryuto Hashimoto¹, Rongyan Sun¹, Kazuya Ymamura¹, Kenta Arima¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:silicon surface, etching, self assembly

Si結晶は、薄層化により特異な性質を発現することが知られている。我々は、Si表面に複数の湿式プロセスを組み合わせ、幅が規定され原子層単位の厚さを持つSi原子層シートの作製を目指している。今回はその準備として、提案する一連のシーケンスをSi(111)バルク基板に適用した。そして、Si(111)表面の原子ステップに沿ってナノスケールの溝構造を形成し、隣接するテラス領域を分離・切断することを試みた。