[20a-P07-1~3] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[20a-P07-1] 湿式法によるSi(111)表面の原子ステップに沿ったナノ溝構造の形成と制御

〇竹内 鉄朗¹、馬 智達¹、橋本 龍人¹、孫 栄硯¹、山村 和也¹、有馬 健太¹ (1.大阪大学)

キーワード：シリコン表面、エッチング、自己組織化

Si結晶は、薄層化により特異な性質を発現することが知られている。我々は、Si表面に複数の湿式プロセスを組み合わせ、幅が規定され原子層単位の厚さを持つSi原子層シートの作製を目指している。今回はその準備として、提案する一連のシーケンスをSi(111)バルク基板に適用した。そして、Si(111)表面の原子ステップに沿ってナノスケールの溝構造を形成し、隣接するテラス領域を分離・切断することを試みた。