[20p-A406-1~13] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[20p-A406-10] Study of pulse frequency dependence of RF bias in Bosch Process

〇Hiroyuki Tanaka¹, Yoshiyuki Nozawa², Toshihiro Hayami², Sommawan Khumpuang^1,3, Shiro Hara^1,3 (1.AIST, 2.SPPT, 3.MINIMAL)

Keywords:Bosch, Minimal, DRIE

TSV電極を製作するためにはSi基板を所望の深さまでエッチングするまでの間、マスク材となるフォトレジストがエッチングに耐え十分に残存することが必須である。ところが、レジストマスクはできるだけ薄膜マスクの方が扱いが易しいことから望ましい。すなわち、リソグラフィでは薄膜が望ましく、深掘りエッチング上では厚膜が望ましいこととなる。viaホールの様な狭小空間を深掘り進むには長時間のエッチングが必要であり、Si基板250µm厚の貫通は容易ではない。そこで深掘りエッチングのパルスバイアスの周期を振ったところ対レジスト選択比を向上させることができた。