[20p-B101-1~12] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[20p-B101-11] 面内磁気異方性をもつナノ磁性体におけるバリスティック磁化反転領域の物質パラメータ依存性に関する理論解析

〇山路 俊樹¹、今村 裕志¹ (1.産総研)

キーワード：超高速磁気記録、バリスティック磁化反転、LLGシミュレーション

磁化に対して垂直にピコ秒パルス磁場を印加することで大振幅の歳差運動を誘起して磁化を反転させるバリスティック磁化反転は実験・理論両面で研究が行われてきた。バリスティック磁化反転領域の広範囲の物質パラメータ依存性は明らかになっていない。そこで、物質パラメータを系統的に振ったマクロスピンLLGシミュレーションを行なったので、その結果を報告する。