[20p-B103-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [20p-B103-10] Crystal structure and ferroelectricity of (Al_1-x-yGa_xSc_y)N thin films

〇(M2)Reika Ota¹, Shinnosuke Yasuoka¹, Kazuki Okamoto¹, Yoshihiro Ueoka,², Yoshiro Kususe², Masami Mesuda², Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech., 2.Tosoh Corp.)

Keywords:ferroelectric thin film, AlScN, nitride

(Al,Sc)Nは、強誘電性が実証されて以降、従来の強誘電体と比較して非常に大きな残留分極値を持つことから注目されている。しかし、(Al,Sc)Nの抗電界は他強誘電体と比べて高く、駆動電圧の低減の観点からその低下が求められている。そこで我々は、(Ga,Sc)Nが限定的な組成範囲であるものの強誘電性を示し、(Al,Sc)Nと比べSc固溶量が大きく抗電界が低いことに着目した。本研究では(Al,Ga,Sc)Nへの組成拡張を行い、結晶構造および強誘電性を評価したので報告する。