[20p-B103-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20p-B103-11] ウルツ鉱型強誘電体薄膜におけるGHz帯k_t²-Eヒステリシス特性

〇石井 直輝^1,2、小林 栞^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3,4 (1.早稲田大、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST)

キーワード：周波数フィルタ、電気機械結合係数、ScAlN

AlNにScをドープしたScAlNが高い電気機械結合係数k_t²を有することからスマートフォン用のBAWフィルタに実用化されている。さらに近年ScAlNにおいて強誘電性が発見された。さらにMgZnOでも強誘電性が見出されている。強誘電体薄膜は成膜後に極性を変えることができる。この性質を圧電デバイスに応用すると分極反転多層構造を作製することができる。この分極反転多層構造は単層のものに比べて耐電力性が優れているため基地局向けフィルタに期待される。
そこで本研究では初めて、ウルツ鉱型強誘電体の電気機械結合係数のヒステリシスカーブを測定したので報告する。