[20p-B103-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20p-B103-12] 基板付きの圧電薄膜と自立構造の圧電薄膜に対する 各種 k_t²値評価法の比較

〇関 崚^1,2、清水 祐樹^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3,4 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST)

キーワード：圧電薄膜

電気機械結合係数k_t²はBAWデバイスの性能を評価する重要なパラメータの一つである。k_t²評価にはIEEE standardの共振・反共振法がよく用いられるが、本手法では薄膜自立構造(FBAR)が必要である。一方で、我々は共振周波数比法、電磁結合信号による変換損失(CL)法、推定した音響損失を差し引いたCL法といった基板除去を必要としない様々なk_t²評価法を報告してきた。本研究では、同じScAlN薄膜の同一箇所における7つのk_t²評価法の比較を行なった。