[20p-B103-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [20p-B103-13] Extensional mode k_t² and shear mode k´₃₅² exceeding 20% in Sc_0.4Al_0.6N thin films

〇Hiroki Uchida^1,2, Yuki Shimizu^1,2, Masashi Suzuki³, Shinji Takayanagi⁴, Takahiko Yanagitani^1,2,5,6 (1.Waseda Univ., 2.ZAIKEN, 3.Yamanashi Univ., 4.Doshisya Univ., 5.JST-CREST, 6.JST-FOREST)

Keywords:ScAlN, Electromechanical coupling coefficient, RF magnetron sputtering

BAWフィルタなどに応用されているScAlN薄膜はSc濃度40%付近で30%近いkt2値およびをk´352値を持つことが第一原理計算により予測されている。しかし、20%を超えるkt2値もしくはk´352値を持つScAlN薄膜の実験的な報告は少ない。本研究では、高いkt2値およびk´352値のSc0.4Al0.6N薄膜を作製し、Sc0.4Al0.6N薄膜が20%を超える高いkt2値およびk´352値を持つことを実験的に示した。