[20p-B103-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20p-B103-13] 20%を超える高いk_t²値のc軸配向Sc_0.4Al_0.6N薄膜および高いk´₃₅²値のc軸傾斜配向Sc_0.4Al_0.6N薄膜

〇内田 拓希^1,2、清水 祐樹^1,2、鈴木 雅視³、高柳 真司⁴、柳谷 隆彦^1,2,5,6 (1.早大先進理工、2.材研、3.山梨大工、4.同志社大生命医科、5.JST-CREST、6.JST-FOREST)

キーワード：ScAlN、電気機械結合係数、RFマグネトロンスパッタリング

BAWフィルタなどに応用されているScAlN薄膜はSc濃度40%付近で30%近いkt2値およびをk´352値を持つことが第一原理計算により予測されている。しかし、20%を超えるkt2値もしくはk´352値を持つScAlN薄膜の実験的な報告は少ない。本研究では、高いkt2値およびk´352値のSc0.4Al0.6N薄膜を作製し、Sc0.4Al0.6N薄膜が20%を超える高いkt2値およびk´352値を持つことを実験的に示した。