[20p-B103-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20p-B103-15] c軸10°傾斜配向ZnOエピタキシャル薄膜の成長と擬似横波励振特性

〇岸 大貴^1,2、柳谷 隆彦^1,2,3,4 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST、4.JST-FOREST)

キーワード：エピタキシャル成長、強誘電体、圧電体

すべりモードを励振する圧電薄膜は液体中で使用する薄膜共振子型センサや表面波センサへの応用が期待できる。これらのセンサには高い擬似すべりモードの電気機械結合係数k´₃₅を持つ圧電薄膜が要求される。本研究ではa面方向に10°オフ角を付けたc面サファイア基板上にPt / ZnO薄膜をRFマグネトロンスパッタ法によって作製し、k´₃₅を報告する。