[20p-B103-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[20p-B103-6] [講演奨励賞受賞記念講演] メモリ応用に向けた(Al, Sc)N膜の薄膜化の検討

〇安岡 慎之介¹、大田 怜佳¹、岡本 一輝¹、石濱 圭佑¹、清水 荘雄^2,3、角嶋 邦之¹、上原 雅人⁴、山田 浩志⁴、秋山 守人⁴、小金澤 智之⁵、L. S. R. Kumara⁵、Okkyun Seo⁵、坂田 修身⁵、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.物材研、3.JST さきがけ、4.産総研、5.JASRI)

キーワード：強誘電体薄膜、AlScN、低電圧駆動

2019年に強誘電性の発現が報告された(Al,Sc)Nは、その巨大な残留分極値等の優れた特性から強誘電体メモリへの応用が期待されている。しかし低電圧駆動のためには、薄膜化や抗電界の低下が必要である。従来の強誘電体材料では薄膜化に伴う結晶構造や電気特性の変化が問題となっている。そこで本研究では、金属-強誘電体-金属構造のキャパシタを用いて、(Al,Sc)N膜の薄膜化及び電極材料が膜の強誘電特性に与える歪の影響を調査した。