[20p-B103-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [20p-B103-8] 水素ガス熱処理が(Al,Sc)N 薄膜の強誘電特性へ及ぼす影響

〇(PC)岡本 一輝¹、安岡 慎之介¹、大田 怜佳¹、舟窪 浩¹、松井 尚子²、入澤 寿和²、恒川 孝二² (1.東工大　物質理工学院、2.キャノンアネルバ株式会社)

キーワード：強誘電体、窒化物、薄膜

巨大な残留分極値を示すウルツ鉱型構造新規強誘電体(Al,Sc)Nは、強誘電体メモリ応用が期待されている。その高い残留分極値により複雑なトレンチ構造による3Dキャパシタではなく単純なプレナー型キャパシタで1T FRAMセルを実現できる可能性がある。本研究では強誘電体メモリ作製プロセス中での水素ガス熱処理が(Al,Sc)Nの強誘電性に与える影響について調べた。水素ガス下での熱処理を行っても(Al,Sc)N薄膜の分極反転特性は得られることが明らかになった。