[20p-B103-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

[20p-B103-9] Evaluation of the effect of plasma oxidation on AlScN / Si by AR-HAXPES

〇Tomoya Tsutsumi¹, Gen Nakada¹, Yoshiharu Kirihara¹, Tatsuki Okazaki², Akira Yasui³, Kuniyuki Kakushima⁴, Yuichiro Mitani^1,2, Hiroshi Nohira¹ (1.Tokyo City Univ., 2.Adv.Res.Lab., Tokyo City Univ., 3.JASRI, 4.Tokyo tech.)

Keywords:AlScN, Hard X-ray Photoemission Spectroscopy, Plasma oxidation

不揮発性メモリのさらなる低消費電力化と高速スイッチング化の実現が期待できる強誘電体材料が活発に研究されている。なかでも、膜厚20 nmでも強誘電性が確認[1]され、100μC cm^-2以上の大きな残留分極と箱型のヒステリシスを持つAl1-xScxN膜を用いた強誘電体キャパシタが注目されている。最近、AlScNを短時間の酸素プラズマ処理によりMIMキャパシタのon/off比が向上することを見出した。そこで、本研究ではその起源を探るためプラズマ酸化を行ったAlScN膜を角度分解硬X線光電子分光法（AR-HAXPES）により評価することで、プラズマ処理によるAlScN膜の結合状態の変化を調べたので報告する。