[20p-B103-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [20p-B103-8] The influence of heat treatment under H2 atmosphere on ferroelectricity of (Al, Sc)N thin films

〇(PC)Kazuki Okamoto¹, Shinnosuke Yasuoka¹, Reika Ota¹, Hiroshi Funakubo¹, Naoko Matsui², Toshikazu Irisawa², Koji Tsunekawa² (1.Tokyo Tech., 2.Canon ANELVA Corp.)

Keywords:ferroelectrics, nitride, thin film

巨大な残留分極値を示すウルツ鉱型構造新規強誘電体(Al,Sc)Nは、強誘電体メモリ応用が期待されている。その高い残留分極値により複雑なトレンチ構造による3Dキャパシタではなく単純なプレナー型キャパシタで1T FRAMセルを実現できる可能性がある。本研究では強誘電体メモリ作製プロセス中での水素ガス熱処理が(Al,Sc)Nの強誘電性に与える影響について調べた。水素ガス下での熱処理を行っても(Al,Sc)N薄膜の分極反転特性は得られることが明らかになった。