[20p-B201-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-B201-1] Effect of GaInN Underlayer in Red-Emitting MQWs Grown by RF-MBE

〇Tomohiro Yamaguchi¹, Junpei Yamada², Rie Togashi², Kaigo Tahara¹, Hiromi Akagawa¹, Takuo Sasaki³, Hisashi Murakami⁴, Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹, Yasushi Nanishi⁵, Katsumi Kishino² (1.Kogakuin Univ., 2.Sophia Univ., 3.QST, 4.TUAT, 5.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:InGaN, MBE, Red emission

マイクロLEDディスプレイや高出力レーザ応用に向けた窒化物半導体赤色発光素子の実現に注目が集まっている。GaN上への赤色発光高In組成GaInN/GaN 歪み量子井戸では、ピエゾ電界による発光効率の低下や格子不整に伴う格子緩和の影響が考えられ、我々はこれまでGa_1-xIn_xN下地層上Ga_1-yIn_yN / Ga_1-xIn_xN多重量子井戸(MQW)構造に着目してきた。
本研究では、GaInN下地層の厚さ・緩和状態を変化させることにより、MQW構造の緩和状態や光学特性にどのような影響を及ぼすか評価を行った。