[20p-B202-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-B202-10] Epitaxially laterally overgrown AlGaN quantum wells studied by time-integrated and -resolved photoluminescence from cryogenic to above room temperatures

〇Shiki Tanaka¹, Ryota Ishii¹, Norman Susilo², Tim Wernicke², Michael Kneissl², Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ., 2.TU. Berlin)

Keywords:semiconductor

ELO基板上AlGaN量子井戸に対して、低温から室温以上の範囲における発光強度や発光寿命を測定し、発光寿命を輻射・非輻射寿命に分けることで発光特性を議論する。