[20p-B202-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [20p-B202-2] Separated Evaluation of Radiative and Non-Radiative Recombination Lifetimes in Ion-implanted InGaN Quantum Wells

〇Keito Mori¹, Yuya Morimoto¹, Ryo Yamahida¹, Hiroto Imashiro¹, Saki Kashiwagi¹, Taiga Takano¹, Haruka Ishida¹, Atsushi Yamaguchi¹, Susumu Kusanagi², Yuya Kanitani², Yoshihiro Kudo², Shigetaka Tomiya² (1.Kanazawa Inst. Tech., 2.Sony Group Corp.)

Keywords:InGaN, Internal Quantum Efficiency, Recombination Lifetime

本研究では，イオン注入ダメージ量の異なるInGaN-QW試料シリーズ4枚に対して，PA/PL同時測定と時間分解PL測定を組み合わせて，輻射・非輻射再結合寿命(tauR, tauNR)を分離評価し，その温度依存性を調べた．tauRとtauNRの温度依存性を見ると，tauRは試料間でほぼ一致している一方で，tauNRはイオン注入によるダメージ量が大きい試料ほど短くなっていることがわかった．