[20p-B202-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-B202-2] イオン注入ダメージ量の異なるInGaN量子井戸の輻射・非輻射再結合寿命の分離評価

〇森 恵人¹、森本 悠也¹、山肥田 涼¹、今城 大渡¹、柏木 咲希¹、高野 泰雅¹、石田 悠¹、山口 敦史¹、草薙 進²、蟹谷 裕也²、工藤 喜弘²、冨谷 茂隆² (1.金沢工大、2.ソニーグループ)

キーワード：InGaN、内部量子効率、再結合寿命

本研究では，イオン注入ダメージ量の異なるInGaN-QW試料シリーズ4枚に対して，PA/PL同時測定と時間分解PL測定を組み合わせて，輻射・非輻射再結合寿命(tauR, tauNR)を分離評価し，その温度依存性を調べた．tauRとtauNRの温度依存性を見ると，tauRは試料間でほぼ一致している一方で，tauNRはイオン注入によるダメージ量が大きい試料ほど短くなっていることがわかった．