[20p-B202-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-B202-5] Room-temperature photoluminescence lifetime of c-plane AlInN on GaN

〇Liyang Li¹, Kohei Shima¹, Mizuki Yamanaka², Takashi Egawa², Tetsuya Takeuchi³, Makoto Miyoshi², Shoji Ishibashi⁴, Akira Uedono⁵, Shigefusa F. Chichibu¹ (1.IMRAM-Tohoku Univ., 2.Nagoya Inst. Tech., 3.Meijo Univ., 4.AIST, 5.Univ. of Tsukuba)

Keywords:Radiative/nonradiative recombination lifetime, AlInN

AlInNは禁制帯幅波長が深紫外線から赤外線に渡る直接遷移型半導体混晶であり、発光層として応用する事も可能である。しかしながらAlNとInNは非混和系であるため表面が平滑で欠陥が少ないAlInN薄膜を得ることは容易ではなく、発光内部量子効率も現状0.1 %程度とInGaNに比べて非常に低い。近年三好らは、GaN基板やGaN / サファイア上に表面が平滑な格子整合AlInN薄膜のMOVPE成長を行っている。そのAlInN薄膜の非輻射再結合中心濃度(N_NRC)が従来の約半分に抑えられたと考えられる。AlInNを発光層として用いるため、InNモル分率や基板の貫通転位密度がN_NRCに与える影響について検討する必要がある。