[20p-B202-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-B202-7] スパッタAlNテンプレート上AlGaN量子井戸構造における貫通転位近傍のCL強度ラインプロファイル

〇藤井 恵¹、大西 悠太¹、稲井 滉介¹、押村 遼太¹、倉井 聡¹、岡田 成仁¹、上杉 謙次郎^2,3、三宅 秀人⁴、山田 陽一¹ (1.山口大院創成科学、2.三重大共創機構、3.三重大院地域イノベ、4.三重大院工)

キーワード：点欠陥、カソードルミネッセンス、量子井戸

AlNテンプレートの低転位化が進むと転位は効率低下の主因から外れ、点欠陥の影響が顕著になることが予想される。本研究ではカソードルミネッセンス(CL)法を用い、内部量子効率の異なるFFA-Sp AlNテンプレートの点欠陥の振る舞いを評価する。CL像からフィッティング解析で求めた実効拡散長L_effを導出すると、内部量子効率が高い試料においてL_effは大きくなる傾向が見られ、内部量子効率低下の大きな要因は点欠陥であることが示唆された。