[20p-B202-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [20p-B202-7] Cathodoluminescence intensity line profile at threading dislocations of AlGaN quantum wells on sputtered AlN templates

〇Megumi Fujii¹, Yuta Onishi¹, Kousuke Inai¹, Ryota Oshimura¹, Satoshi Kurai¹, Narihito Okada¹, Kenjiro Uesugi^2,3, Hideto Miyake⁴, Yoichi Yamada¹ (1.Yamaguchi Univ., 2.MRPCO, Mie Univ., 3.Grad. School of RIS, Mie Univ., 4.Grad. School of Eng, Mie Univ.)

Keywords:point defect, cathodoluminescence, quantum well

AlNテンプレートの低転位化が進むと転位は効率低下の主因から外れ、点欠陥の影響が顕著になることが予想される。本研究ではカソードルミネッセンス(CL)法を用い、内部量子効率の異なるFFA-Sp AlNテンプレートの点欠陥の振る舞いを評価する。CL像からフィッティング解析で求めた実効拡散長L_effを導出すると、内部量子効率が高い試料においてL_effは大きくなる傾向が見られ、内部量子効率低下の大きな要因は点欠陥であることが示唆された。