[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-16] MOVPE法によるβ-Ga₂O₃基板上ホモエピタキシャル成長の成長温度依存性

〇池永 和正^1,2、西村 太郎¹、後藤 健¹、石川 真人³、町田 英明³、上野 智雄¹、熊谷 義直¹ (1.東京農工大院工、2.大陽日酸㈱、3.気相成長㈱)

キーワード：酸化ガリウム、有機金属気相成長