[20p-B203-1~22] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B203-17] Effect of etching gas addition on β-Ga₂O₃ HVPE growth

〇(M2)Risa Nagano¹, Kentaro Ema², Kohei Sasaki², Akito Kuramata², Hisashi Murakami¹ (1.Tokyo Univ. of Agri. and Tech., 2.Novel Crystal Technology, Inc.)

Keywords:gallium oxide, epitaxial growth

ハライド気相成長(HVPE)法を用いるβ-Ga₂O₃成長では、高品質結晶を高い成長速度で実現している。しかしながら、大きな成長反応のギブズエネルギー変化に起因した原料分子の気相反応による表面形態の悪化が課題となっている。一方、HVPE法成長時にエッチングガスを添加することで成長反応の平衡が変化する可能性が示唆されている。今回、エッチングガスの添加が成長反応に与える影響について調査したので報告する。