[20p-B203-1~22] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B203-18] Characteristics of Ga₂O₃/3C-SiC direct bonding for improving heat dissipation of power devices

〇(M2)Hiromu Nagai¹, Keisuke Kawamura², Hiroki Uratani², Yoshiki Sakaida², Naoteru Shigekawa^1,3, Jianbo Liang^1,3 (1.Osaka City Univ., 2.Air Water Inc., 3.Osaka Metropolitan Univ.)

Keywords:gallium oxide, surface activated bonding

Ga₂O₃は広いバンドギャップを有しパワーデバイスへの応用に期待されているが、熱伝導率が低いため、デバイス動作時の自己発熱によるデバイスの性能や信頼性の劣化が課題となっている。そこで、本研究では表面活性化接合法を用いて常温で高熱伝導率有する3C-SiC薄膜をGa₂O₃基板と直接接合し、表面放熱機能を有するパワーデバイス構造の実現性を検証する。