[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-18] パワー素子の放熱向上に向けたGa₂O₃/3C-SiC直接接合の特性評価

〇(M2)長井 啓¹、川村 啓介²、浦谷 泰基²、坂井田 佳紀²、重川 直輝^1,3、梁 剣波^1,3 (1.大阪市大工、2.エア・ウォーター、3.大阪公大工)

キーワード：酸化ガリウム、表面活性化接合法

Ga₂O₃は広いバンドギャップを有しパワーデバイスへの応用に期待されているが、熱伝導率が低いため、デバイス動作時の自己発熱によるデバイスの性能や信頼性の劣化が課題となっている。そこで、本研究では表面活性化接合法を用いて常温で高熱伝導率有する3C-SiC薄膜をGa₂O₃基板と直接接合し、表面放熱機能を有するパワーデバイス構造の実現性を検証する。