[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-2] PLD法による(Ir_xGa_1-x)₂O₃ /α-Al₂O₃(0001)ヘテロ層の成長

〇(M2)三木 隼之介¹、松田 彪雅¹、竹田 尚史¹、堀田 育志¹、唐 佳藝¹、佐々木 公平²、倉又 朗人²、三木 一司¹ (1.兵庫県立大工、2.ノベルクリスタルテクノロジー)

キーワード：ワイドギャップ半導体、酸化ガリウム、ヘテロエピタキシャル成長

β-Ga₂O₃ は低コスト、高耐圧、低損失化が期待できる高性能な材料である。問題点はβ-Ga₂O₃ は高耐圧化に不可欠な p 型ドーパントが未発見であることである。問題解決の一案として、p 型ドーパントを持つ半導体層をヘテロ接合する方法がある。本研究では、解決法の一候補であるヘテロ成長(Ir_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃の前準備段階として、ヘテロ成長(Ir_xGa_1-x)₂O₃/α-Al₂O₃ を試行した。