[20p-B203-1~22] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B203-21] Growth of α-(AlGa)₂O₃ and α-Ga₂O₃ thin films by mist chemical vapor deposition using acetylacetonated Al and Ga source solutions

〇Kazuyuki Uno¹, Hiroto Tamura¹, Marika Ohta¹ (1.Wakayama Univ.)

Keywords:gallium oxide, mist chemical vapor deposition, epitaxial growth

アセチルアセトナート錯化したAl, GaイオンによるミストCVD成長では、強いアンカリング機構によりc面サファイア基板上にα型AlGaO, α型GaOが成長する。Ｘ線回折測定により、大きな格子緩和を行うためにc軸方向の揺らぎが導入されていることを示唆する結果を得た。a面サファイア基板を用いた結果からは、c面サファイア基板のときと明らかに異なる結晶様態をもつ薄膜が得られることが分かった。アンカリング機構との関連について議論する。