[20p-B203-1~22] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-B203-21] アセチルアセトナート化した原料水溶液を用いたα 型(AlGa)₂O₃ 混晶とα 型Ga₂O₃ 薄膜のミストCVD成長

〇宇野 和行¹、田村 大翔¹、太田 茉莉香¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：酸化ガリウム、ミストCVD法、エピタキシャル成長

アセチルアセトナート錯化したAl, GaイオンによるミストCVD成長では、強いアンカリング機構によりc面サファイア基板上にα型AlGaO, α型GaOが成長する。Ｘ線回折測定により、大きな格子緩和を行うためにc軸方向の揺らぎが導入されていることを示唆する結果を得た。a面サファイア基板を用いた結果からは、c面サファイア基板のときと明らかに異なる結晶様態をもつ薄膜が得られることが分かった。アンカリング機構との関連について議論する。