[20p-B203-1~22] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B203-4] Impact of Chemical Reaction in the Source Solution on Growth of α-In₂O₃ by Mist CVD

〇Takumi Yamamoto¹, Akito Taguchi¹, Rie Yamada¹, Hiroki Nagai¹, Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹, Tomohiro Yamaguchi¹ (1.Kogakuin Univ.)

Keywords:Mist CVD, In2O3, growth mechanism

Mist CVD法は, 大気圧下での成長が可能であるため, 簡易的な装置構成かつ低コストで成膜を行う手法であり, 酸化インジウム(In₂O₃)や酸化ガリウム(Ga₂O₃)などの酸化物半導体単結晶膜が実現されている. しかし, 溶液中の反応を含め成長メカニズムのほとんどが解明されていない. 本研究ではMist CVD法によるα-In₂O₃成長における原料溶液中の反応理解を目的として, 溶液の静置時間を変化させて実験を行った.