[20p-B203-1~22] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20p-B203-8] Backside exposure photolithography for metal-masked β-Ga₂O₃ substrates

〇Takayoshi Oshima¹ (1.NIMS)

Keywords:Ga2O3, Backside exposure photolithography

本研究では、g, h, i線全てに対して透過性の高いβ-Ga₂O₃基板に対して、表面の金属パターンをマスクとして、裏面露光リソグラフィの検証実験を行った。