[20p-B204-1~13] 6.3 Oxide electronics

△ [20p-B204-10] Fabrication of Pr₂Ir₂O₇ thin film by MBE and solid phase epitaxy

〇(M1)Shunji Oishi¹, Seiya Yokokura², Toshihiro Shimada², Taro Nagahama² (1.CSE, Hokkaido Univ., 2.Eng., Hokudai Univ .)

Keywords:pyrochlore oxide, magnetoresistance

Pr₂Ir₂O₇(PIO)のバルク試料を作製する例は多くあるが、高品質の薄膜の作製は困難であった。薄膜の作製を困難にしているのは、高温でIrが揮発してしまうことにある。そこで、Irの揮発を防ぐためにパルスレーザー蒸着法（PLD）を用いてアモルファスの薄膜を作製し、その後大気圧アニールをし、目的の薄膜を得る先行研究がいくつか報告されている。本研究では反応性MBEと固相エピタキシーを用いて、PIOを製膜し、その物性を評価することを目的とした。