[20p-C101-1~17] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

△ [20p-C101-5] Surface passivation mechanism on Si surfaces by Al-doped ultrathin SiO_x formed by immersing in aluminum nitrate aqueous solution

〇(D)Hiroki Nakajima¹, Huynh Thi Cam Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:surface passivation, ultrathin oxide, wet process

n型Si基板をAl(NO₃)₃水溶液に浸漬して形成したAlドープ超極薄SiO_x膜におけるパッシベーション機構の解明を目的に、実効少数キャリア寿命(τ_eff)の詳細な調査を行った。キャリア励起にパルスレーザ光を用いた測定では、高い余剰キャリア密度(Δn)ほどτ_effが増加したのに対し、フラッシュランプ光を用いた擬定常状態での測定では、高いΔnほどτ_effが低下した。このことから、パッシベーション機構は励起電子で誘起された電界効果によるものと考えられる。