[20p-C202-1~8] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20p-C202-3] Si結晶中のフランク型積層欠陥における酸素原子の安定性

〇神山 栄治^1,2、野田 祐輔²、末岡 浩治² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大情報工)

キーワード：シリコン、積層欠陥、第一原理計算

As-grown Si結晶の格子間Si原子優勢領域における欠陥特性が改めて注目されており， Frank partial Dislocation Loop (FDL)の性質を理解することは重要である．本報告では，このFDL周辺におけるOiの挙動について検討した結果について報告する．