[20p-C202-1~8] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[20p-C202-5] Hydrogen diffusion behavior of CH₄N-molecular-ion-implanted wafers for 3D stacked CMOS image sensors

〇Ryosuke Okuyama¹, Takeshi Kadono¹, Ayumi Masada¹, Akihiro Suzuki¹, Koji Kobayashi¹, Satoshi Shigematsu¹, Ryo Hirose¹, Yoshihiro Koga¹, Kazunari Kurita¹ (1.SUMCO)

Keywords:Hydrogen

我々はCMOSイメージセンサの高性能化のために、炭化水素分子に窒素を追加したCH₄N多元素分子イオン注入技術の開発をおこなってきた。CH₄N分子イオン注入レンジは炭素分子クラスターと異なり、二つの水素のピークが観察されることを明らかとした。水素に対する捕獲能力の解析は分子イオン注入ウェーハの特性の理解に重要である。そのため、分子イオン注入レンジにおいて、従来報告がない水素の捕獲・拡散挙動に関して、評価、解析をおこなったので報告する。