[20p-C202-1~8] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20p-C202-5] 3 次元積層型CMOS イメージセンサ向けCH₄N 分子イオン注入エピタキシャルシリコンウェーハの水素拡散挙動

〇奥山 亮輔¹、門野 武¹、柾田 亜由美¹、鈴木 陽洋¹、小林 弘治¹、重松 理史¹、廣瀬 諒¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：水素

我々はCMOSイメージセンサの高性能化のために、炭化水素分子に窒素を追加したCH₄N多元素分子イオン注入技術の開発をおこなってきた。CH₄N分子イオン注入レンジは炭素分子クラスターと異なり、二つの水素のピークが観察されることを明らかとした。水素に対する捕獲能力の解析は分子イオン注入ウェーハの特性の理解に重要である。そのため、分子イオン注入レンジにおいて、従来報告がない水素の捕獲・拡散挙動に関して、評価、解析をおこなったので報告する。