[20p-C206-1~8] 15.1 バルク結晶成長

[20p-C206-8] 直径2インチScAlMgO₄単結晶ウェハのエッチング評価

〇白石 裕児¹、南都 十輝¹、安藤 宏孝¹、福田 承生¹、藤井 高志^2,1、石地 耕太朗³ (1.㈱福田結晶研、2.立命館大、3.九州シンクロトロン光研究センター)

キーワード：ScAlMgO4、SAM、単結晶

ScAlMgO₄(SAM)単結晶は高歩留りなGaN自立基板が作製可能で、且つ薄膜成長後の自然剥離したSAM基板を再研磨する事で複数回再利用可能な結晶として報告されてきた。SAM単結晶作成においての結晶欠陥については、光学評価、X線トポグラフィ（XRT）により調べて報告してきた。サブグレインバウンダリー、クリスタルコア、ストリエーション、転位欠陥と成長条件との関係解明により、無転位、無欠陥結晶成長へと進んでいる。GaNエピタキシャル成長に使うウェハはX線ロッキングカーブ法（XRC）、XRT評価を行っているが、今回簡便なエッチング法により評価を行った。