[20p-C306-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-C306-4] 【注目講演】プロトン注入によるSiCエピタキシャル層の基底面部分転位の運動抑制

〇原田 俊太¹、坂根 仁²、三井 俊樹³、加藤 正史³ (1.名古屋大、2.住重アテックス、3.名工大)

キーワード：SiC、転位、順方向通電劣化

プロトン注入がSiCエピタキシャル層の基底面部分転位の運動に与える影響を調べた結果、熱処理による積層欠陥収縮がプロトン注入により抑制されることが明らかとなった。このことから、プロトン注入が転位の運動を阻害することにより順方向通電劣化を抑制することが示唆された。