[20p-C306-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-C306-6] 酸化処理を施した4H-SiCの表面再結合速度

〇(M2)小川 斐士¹、韓 磊¹、加藤 智久²、加藤 正史¹ (1.名工大、2.産総研)

キーワード：シリコンカーバイド、半導体

キャリアライフタイムτの値はSiCバイポーラデバイスにおいて、デバイス性能を左右する重要なパラメータである。また、τの制限因子の中には表面再結合が存在しており、定量的な値を得ることがデバイス設計に不可欠である。本研究では、酸化処理およびpost-oxidation annealing (POA)を施した4H-SiCに対して、表面再結合速度Sの解析を行った。