[20p-C306-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [20p-C306-7] Electron mobility in sulfur-implanted n-type SiC
investigated by Hall effect measurement

〇Taiga Matsuoka¹, Mitsuaki Kaneko¹, Tsunenobu Kimoto¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:Silicon carbide, Hall effect

本研究では、様々なドーピング密度を有するSイオン注入n型SiC層を形成し、Hall効果測定によって電気的性質を評価した。実験から、高密度(>1×10¹⁸ cm^－3)Sイオン注入層における電子移動度は、従来のn型SiC層における電子移動度に比べ2倍以上高いことが明らかとなった。高い電子移動度が得られた原因として、Sイオン注入層中の低いイオン化率(~ 1%)に起因して、イオン化不純物散乱の寄与が小さいことが考えられる。